ここからが今回の発表の内容である。従来のMoS2にHfO2を積層するプロセスでは、Dangling Bond(原子における未結合手)が存在せず、このためHigh-Kでの膜形成が難しかったため、Low-Kでの膜形成層が必要になっていた。 ところがインテルは今回、HfO2 ALDプロセスを ...