IGBTモジュールは単体素子の基礎上にICドライバーと各種ドライブ保護回路を内蔵し、より高度なパッケージング技術を採用した製品である。同モジュールは複数のIGBTチップとFRD（高速リカバリーダイオード）チップを特定の回路でパッケージングしたモジュール型製品で、入力インピーダンスが大きい、駆動電力が小さい、制御回路が簡素、スイッチング損失が少ない、導通・遮断速度が速い、動作周波数が高い、素子容量が ...

H&Iグローバルリサーチ株式会社（本社：東京都中央区）は、この度、Technavio （Infiniti Research）が発行した「IGBT電源モジュールの世界市場2016-2020」調査レポートの取扱・販売をMarketReport.jpサイト（取扱レポート数：15万件以上、日本最大級）にて開始しました。

新開発の第8世代IGBTを搭載し、再生可能エネルギー用電源システムの低消費電力化に貢献 ＊参考画像は添付の関連資料を参照 三菱電機株式会社は、太陽光発電などの再生可能エネルギー用電源システム向けパワー半導体モジュールの新製品として、「産業用 ...

2022年6月21日に、QYResearchは「グローバル高耐圧IGBTモジュールに関する市場レポート, 2017年-2028年の推移と予測、会社別、地域別、製品別、アプリケーション別の情報」の調査資料を発表しました。高耐圧IGBTモジュールの市場生産能力、生産量、販売量、売上 ...

富士電機は4月17日、3モジュール分の回路を1パッケージに集約した「AT-NPC(Advanced T-type Neutral-Point-Clamped)3レベル12 in 1 IGBTモジュール」シリーズを発表した。 同社では、2010年2月に電力損失の削減が可能な「AT-NPC3レベル(新3レベル)変換回路」を開発し、2011年2月 ...

三菱電機は1月14日、太陽光発電システムや蓄電池などの電源システムのインバーターなどの低消費電力化・高出力化に貢献する再生可能エネルギー用電源システム向けパワー半導体モジュールの新製品として、新開発の第8世代IGBTを搭載した「産業用LV100 ...

オンセミ（本社: 米国アリゾナ州スコッツデール、Nasdaq：ON）は、新製品となる最新の第7世代1200V QDual3絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）パワーモジュールを発表しました。新製品のパワーモジュールは、高い電力密度を提供し、市販されている他の ...