2026年3月23日[NASDAQ: MCHP] - Microchip Technology Incorporated(日本法人: 東京都港区浜松町、代表: 櫟晴彦 以下Microchip社)は本日、HV-H3TRB(高電圧、高温、高湿逆バイアス)の厳しい基準を満たすように設計されたBZPACK mSiC(R)パワーモジュール(https://www.microchip.com/en-us/pr ...

ミネベアミツミの連結子会社であるミネベアパワーデバイスとサンケン電気は、民生品および産業品向けインテリジェントパワーモジュール市場において、後工程の生産協業および共同製品開発に関する技術提携を行うことで合意した。 脱炭素社会への貢献 ...

三菱電機は、電気自動車(EV)やプラグインハイブリッド車(PHEV)用モーターなどのインバータ駆動に用いられるxEV用パワー半導体モジュールとして、SiC-MOSFETやRC-IGBT(Si)素子を搭載した「J3-T-PM」を開発。2024年1月24日～26日にかけて東京ビッグサイトにて開催され ...

新型SiCモジュール搭載の3相インバータ向けリファレンスデザインを公開！ ローム株式会社（本社 : 京都市）は、EcoSiC(TM ...

Kenneth Researchは調査レポート「グローバルインテリジェントパワーモジュール市場：世界的な需要の分析及び機会展望2030年」2021年09月 08日 に発刊しました。レポートは、企業概要 、製品種類、販売量 、市場規模 、メーカ概要 、市場シェア 、などが含まれ ...

本セミナーの募集は終了いたしました。現在募集中のセミナーは、日経BPセミナーナビ（日経BPのセミナー総合サイト）からご覧いただけます。 このセミナーは会場にお越しいただく来場型セミナーです。 来場型セミナーでの感染症予防対策については ...

新開発の小型T-PMと豊富なラインアップで、xEV用インバーターの小型化等に対応 ＊参考画像は添付の関連資料を参照 三菱電機株式会社は、電気自動車（EV）やプラグインハイブリッド車（PHEV）用モーター等のインバーター駆動に用いるxEV用パワー半導体 ...

高速スイッチングに対応する小さなゲート抵抗で抑制可能な技術を開発 東芝デバイス＆ストレージ株式会社と株式会社東芝（以下、東芝グループ）は、SiC（炭化ケイ素） MOSFET注1を搭載したパワーモジュールにおいて、スイッチング動作時に並列接続間で ...

三菱電機株式会社は、電気自動車（EV）やプラグインハイブリッド車（PHEV）用モーター等のインバーター駆動に用いるxEV用パワー半導体モジュールとして、小型化を実現し、SiC-MOSFET（※1）やRC-IGBT（Si）（※2）素子を搭載したJ3-T-PMを開発しました。J3-T-PMを ...

【無錫（中国）2020年7月14日PR Newswire】MWT PVモジュールのGWスケールで世界初のメーカーであり、BIPV市場の成長を目指すS6フレキシブルモジュール製品を最適化したと最近発表しました。 2018年に発表され、その後パイロットラインでの生産に成功したS6は ...

2024年におけるIGBTパワーモジュールの世界市場規模は、7604百万米ドルと予測され、2025年から2031年の予測期間において、年間平均成長率（CAGR）13.6%で成長し、2031年までに18340百万米ドルに達すると予測されている。 市場セグメント分析 IGBTパワーモジュール ...

ミネベアミツミは1月27日、同社の連結子会社ミネベアパワーデバイスとサンケン電気が白物家電を中心とした民生品ならびに産業品向けIPM(インテリジェントパワーモジュール)について、後工程の生産協業および共同製品開発に関する技術提携を行うことで ...