【プレスリリース】発表日:2026年03月12日ビシェイ社、1200V SiC MOSFETパワーモジュールを業界標準SOT-227パッケージで発表、電力効率を向上中〜高周波アプリケーション向けに、競合ソリューションからのドロップイン置換を提供ビシェイ・インターテクノロジー社（米国ペンシルバニア州、NYSE : VSH、日本法人 : ビシェイジャパン株式会社、東京都渋谷区、代表取締役社長 ...

Kenneth Researchは調査レポート「グローバルインテリジェントパワーモジュール市場：世界的な需要の分析及び機会展望2030年」2021年09月 08日 に発刊しました。レポートは、企業概要 、製品種類、販売量 、市場規模 、メーカ概要 、市場シェア 、などが含まれ ...

本セミナーの募集は終了いたしました。現在募集中のセミナーは、日経BPセミナーナビ（日経BPのセミナー総合サイト）からご覧いただけます。 このセミナーは会場にお越しいただく来場型セミナーです。 来場型セミナーでの感染症予防対策については ...

ミネベアミツミの連結子会社であるミネベアパワーデバイスとサンケン電気は、民生品および産業品向けインテリジェントパワーモジュール市場において、後工程の生産協業および共同製品開発に関する技術提携を行うことで合意した。 脱炭素社会への貢献 ...

レゾナックは1月17日、自動車の電動化に欠かせない「パワー半導体」と、これをパッケージした「パワーモジュール」の材料開発を強化するため、栃木・小山事業所内に「パワーモジュールインテグレーションセンター」（PMiC）を本格始動させると発表した。

東芝は6月4日、絶縁基板に「樹脂」を用いたSiCパワー半導体モジュールにおいて、単位面積あたりの電力処理能力を示す「電力密度」を向上可能な樹脂絶縁型「SiCパワー半導体モジュール(SiCパワーモジュール)」を開発したことを発表した。 SiCパワー ...

STマイクロエレクトロニクス、SiCインバータの設計を簡略化する柔軟性に優れたパワー・モジュールを発表 STマイクロエレクトロニクス（NYSE:STM、以下ST）は、1200V耐圧のSiC（炭化ケイ素）パワーMOSFETを汎用性に優れた構成で内蔵したSTPOWERパワー・モジュール ...

高速スイッチングに対応する小さなゲート抵抗で抑制可能な技術を開発 東芝デバイス＆ストレージ株式会社と株式会社東芝（以下、東芝グループ）は、SiC（炭化ケイ素） MOSFET注1を搭載したパワーモジュールにおいて、スイッチング動作時に並列接続間で ...

最先端パワー半導体の開発を行う京大発ベンチャーの株式会社FLOSFIA(本社：京都市西京区、代表取締役社長：人羅俊実、以下「FLOSFIA」)は、小型・薄型・低電力損失で金型レスの新型パワーモジュール（注)の開発を完了しました。 最先端パワー半導体の開発 ...

SiCパワーモジュールの特徴は、Si比で小型・薄型化と低損失化の両立が実現できることである。このため、2022年から2025年にかけて市場投入が活発化するハイエンドEVを中心に搭載車が拡大する見込みである。 その背景には、駆動モータの高出力化と、車内 ...

矢野経済研究所は、車載用パワーモジュール世界市場の調査を実施。xEVの普及拡大に伴い、2030年には2021年比3.9倍の1兆0338億 ...