Kenneth Researchは調査レポート「グローバルインテリジェントパワーモジュール市場：世界的な需要の分析及び機会展望2030年」2021年09月 08日 に発刊しました。レポートは、企業概要 、製品種類、販売量 、市場規模 、メーカ概要 、市場シェア 、などが含まれ ...

【プレスリリース】発表日:2026年03月12日ビシェイ社、1200V SiC MOSFETパワーモジュールを業界標準SOT-227パッケージで発表、電力効率を向上中〜高周波アプリケーション向けに、競合ソリューションからのドロップイン置換を提供ビシェイ・インターテクノロジー社（米国ペンシルバニア州、NYSE : VSH、日本法人 : ビシェイジャパン株式会社、東京都渋谷区、代表取締役社長 ...

三菱電機は、電気自動車(EV)やプラグインハイブリッド車(PHEV)用モーターなどのインバータ駆動に用いられるxEV用パワー半導体モジュールとして、SiC-MOSFETやRC-IGBT(Si)素子を搭載した「J3-T-PM」を開発。2024年1月24日～26日にかけて東京ビッグサイトにて開催され ...

パワー半導体モジュール「Compact DIPIPM」シリーズ「PSS30SF1F6」（「PSS50SF1F6」は上記写真と同様の外形） 三菱電機株式会社は、パワー半導体モジュール「DIPIPM」の新たな製品シリーズとして、パッケージエアコンやヒートポンプ暖房・給湯システムなどの民生 ...

産業技術総合研究所(産総研)は、明電舎と共同で、SiC CMOS駆動回路を内蔵したSiCパワーモジュール(SiC CMOSパワーモジュール)によるモーター駆動を世界で初めて実現したと3月12日に発表。高速スイッチング動作時のノイズ低減により、低損失化を達成したとし ...

2022年1月10日に、「グローバルパワー半導体デバイス・モジュールに関する市場レポート, 2017年-2028年の推移と予測、会社別、地域別、製品別、アプリケーション別の情報」の調査資料を発表しました。パワー半導体デバイス・モジュールの市場生産能力 ...

The 1200V / 300A Half-Bridge IGBT is rated for 450A continuous DC current (Tj=90°C) based on Trench Gate Field Stop (TG-FS) technology. And it is housed in the CPAK-EDC package with a copper baseplate ...

電力密度を大幅に向上可能な「樹脂絶縁型SiCパワー半導体モジュール」を開発 ～「小面積チップの分散配置設計」と「AIを活用した設計最適化」で、 熱抵抗を21％低減。電力変換器の小型化によりカーボンニュートラルの実現に貢献～ 概要 当社は、絶縁 ...

・ SiC CMOS駆動回路を内蔵したパワーモジュールによるモーター駆動を実現 ・ 開発した独自の駆動方法でノイズを低減し、モーターシステムの信頼性向上に寄与 国立研究開発法人 産業技術総合研究所（以下「産総研」という）先進パワーエレクトロニクス ...

住友ベークライト株式会社（本社：東京都品川区、代表取締役社長：鍜治屋 伸一）は、業界トップクラスの放熱性と絶縁性を兼ね備えた放熱絶縁シートを開発しました。本製品は、パワーモジュールに使用される従来のセラミック基板の代替を可能にし ...

住友ベークライト株式会社（本社：東京都品川区、代表取締役社長：鍜治屋 伸一）は、業界トップクラスの放熱性と絶縁性を兼ね備えた放熱絶縁シートを開発しました。本製品は、パワーモジュールに使用される従来のセラミック基板の代替を可能にし ...