［Patentix株式会社］～超ワイドバンドギャップ（UWBG）半導体GeO2の社会実装を加速～ Patentix株式会社 2026年4月6日【概要】Patentix株式会社（本社：滋賀県草津市、代表取締役社長：衣斐 豊祐、以下「Patentix」） ...
Patentix 株式会社(以下「当社」)は、次世代パワー半導体材料のルチル型二酸化ゲルマニウムの薄膜にアクセプタ不純物をイオン注入することでp型のSBD特性を確認しました。 【背景】 ルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）は、炭化ケイ素（SiC ...
2026年3月31日 Patentix株式会社（以下「当社」）は、次世代パワー半導体材料として注目されているルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）でデプレッション型MOSFETを作製し、そのトランジスタ動作実証に成功 ...
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